洁净室的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。
        一般来说，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如，在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温。同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间不宜超过25度。
        湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面耐难以清除。
        相对湿度越高，粘附的难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产最佳温度范围为35-45%。
        温湿度控制的特性：
        对湿空气单纯地加热或制冷过程，是环境含湿量保持不变的过程，即绝对湿度保持不变的过程。
        湿空气经过盘管加热，温度升高而相对湿度下降；相反，对冷却过程，温度下降而相对湿度相应升高。
        因此，我们可以得出，温度和相对湿度是两个不同方向的控制量，要使温湿度同时向相同的趋势变化，单纯地靠加热/冷却过程是不能实现的。
        冷却去湿过程是湿空气经冷却达到饱和后继续制冷的过程，湿空气经过冷却盘管析出水滴，从而降低了绝对湿度，起到降湿的作用。